2021-06-30
集成電路廣泛使用于電腦、家電、數碼、工業(yè)、通信、軍事等領(lǐng)域。集成電路檢測根據工藝所處的環(huán)節可以分為設計驗證、前道量檢測和后道檢測。 集成電路芯片的生產(chǎn)主要分為 IC設計、 IC 前道制造和 IC 后道封裝測試三大環(huán)節，把完成的集成電路進(jìn)行結構及功能的確認，以保證元件或IC在到達系統時(shí)的完整與正常，這一站我們稱(chēng)之為測試。
集成電路的制程永遠無(wú)法達到100%良率，故在讓元件上系統前，必須要先進(jìn)行測試，以確定元件功能的正常與完整，以降低成本的損失。影響代工廠(chǎng)商的成敗依賴(lài)于產(chǎn)品的良率，良率不達標會(huì )顯著(zhù)影響廠(chǎng)商的成本與收益。針對于半導體測試設備中起到關(guān)鍵作用的小型化長(cháng)壽命繼電器，以下做簡(jiǎn)單介紹：
歐姆龍MOS FET繼電器以豐富的產(chǎn)品種類(lèi)，多達150種豐富的產(chǎn)品系列、可靠的品質(zhì)，支持各種技術(shù)及設備的開(kāi)發(fā)。
歐姆龍MOS FET繼電器接觸可靠性更優(yōu)，與機械式繼電器相比，能使機械設備更小型化、更節能化。備有高靈敏度、大容量、低導通電阻、低端子間容量、高絕緣。
實(shí)現與機械式繼電器同等的連續負載電流（~4A）和低導通電阻（0.02Ω~）的大容量型。為使用多個(gè)繼電器的產(chǎn)品實(shí)現高密度安裝和小型化做出貢獻。G3VM-31QR連續負載電流1.5A，兼顧小型和大容量。
實(shí)現SPDT接點(diǎn)構成的半導體開(kāi)關(guān)元件MOS FET繼電器模塊，電壓驅動(dòng)型（額定：DC5V)，封裝內集中了SPDT結構所需的部件，有助于基板省空間化。
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